ONEIC.US
TL082CDR

点击放大查看

TL082CDR

Manufacturer
Description
OP Amp Dual GP ±18V 8-Pin SOIC T/R IC OPAMP JFET 3MHZ 8SOIC OP Amp Dual GP ?18V 8-Pin SOIC T/R IC, OP-AMP, 3MHZ, 13V/ us, SOIC-8 JFET-Input Operational Amplifier Operational Amplifier Dual 3 MHz SOIC-8, TL082, TL082CDR, Texas Instruments Texas Instruments 双 运算放大器, 3MHz, 8针 SOIC Operational Amplifiers - Op Amps Dual JFET Op Amp
Category
对参数有疑问?问 AI 助手

商业参数

其他名称296-1284-2标准包装数量Tape & Reel
标准封装名称SOIC

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant
海关税号85411000零件状态ACTIVE
抗辐射加固No

电气参数

增益106.02 dB压摆率13@±15V V/us
1kHz噪声电压18输出类型No
失调漂移18输入功率Dual
额定功率0.68 W晶体管类型:Low Power
共模抑制比、电源抑制比(典型)70 dB输出电流1.4mA
供电电流5.6@±15V mA供电电压±3.5 V
供电类型Dual通道数量2
元件数量2输入偏置电流30pA
最大额定电流CatalogADC/DAC 数量:1
最小输入电压3mV增益带宽积3 MHz
轨到轨工作No最大功耗680
静态电流 (Iq)2.8输入偏置电流(最大)0.0004@±15V uA
输入失调电流(最大)0.0002@±15V25°C失调电压15
输入噪声电流密度0.01@±15V pA/rtHz输入噪声电压密度18@±15V nV/rtHz
电源电压范围(典型)�5/�9/�12/�15 V输入失调电压(最大)15@±15V mV
电压输出差(典型值)@ 距离106.02 dB

机械参数

宽度4(Max)重量0.002
带宽:3MHz包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing安装类型Surface Mount
引脚数:8封装形式8SOIC
冷却的封装SOIC总长度5(Max)
包装数量SOIC位数8
外壳尺寸-插件1.5(Max)供应商器件封装8-SOIC

产品信息

类型General Purpose Amplifier关断No
软件SLOS081I技术BiFET
制造商全称General Purpose Amplifier放大器类型J-FET
功能框图fbd_slos081i.gif电路数2
使用的IC/零件View印刷电路板数量8

环境参数

测试温度0 to 70工作温度0 to 70 °C

Documents & Media

PDF Document
PDF Document
Online Document