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TLE2082IDR

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TLE2082IDR

Manufacturer
Description
OP Amp Dual GP ±19V 8-Pin SOIC T/R IC OPAMP JFET 10MHZ 8SOIC Operational Amplifiers - Op Amps Dual Hi-Sp JFET-Input Op Amp Dual High-Speed JFET-Input Operational Amplifier
Category
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商业参数

产品Operational Amplifiers其他名称296-1343-2
产品类别Operational Amplifiers - Op Amps标准包装数量Tape & Reel
工厂包装数量2500标准封装名称SOIC

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant
零件状态ACTIVE

电气参数

频率28 nV/sqrt Hz压摆率35@±5V V/us
输入类型Rail-to-Rail1kHz噪声电压11.6
失调漂移2.3输入阻抗0.0028 pA/sqrt Hz
共模抑制比、电源抑制比(典型)70 dB输出电流3.1mA
供电电流3.9@±5V mA供电电压±2.25 V
供电类型Dual通道数量2
输入偏置电流20pA最大额定电流Catalog
最小输入电压1.1mV增益带宽积9.4 MHz
轨到轨工作No平均正向功率725 mW
最大功耗725静态电流 (Iq)1.8
输入偏置电流(最大)0.175@±5V uA输出电流/通道48mA
输入失调电流(最大)0.1@±5V供电电压 (Vcc/Vdd)38
25°C失调电压6输入噪声电流密度0.0028@±5V pA/rtHz
输入噪声电压密度28@±5V nV/rtHz共模电压 (Vcm)Negative Rail + 4 V to Positive Rail
输入失调电压(最大)7@±5V mV电压输出差(典型值)@ 距离106 dB

机械参数

宽度4(Max)高度1.58 mm
长度4.9 mm重量0.002677 oz
包装方式Tape and Reel引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount安装样式SMD/SMT
封装形式8SOIC总长度5(Max)
包装数量SOIC位数8
外壳尺寸-插件1.5(Max)供应商器件封装8-SOIC

产品信息

类型General Purpose Amplifier系列TLE2082
关断No软件SLOS182B
技术BiFET制造商全称Wideband Amplifier
放大器类型J-FET电路数2
使用的IC/零件View印刷电路板数量8

环境参数

工作温度-40 to 85 °C