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TPS1100DR
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-Pin SOIC T/R MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC |
| Category |
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商业参数
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 2500 | 标准封装名称 | SOIC |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 10 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 2 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 791mW | 额定功率 | 791 mW |
| 下降时间（典型） | 2 ns | 上升时间（典型） | 10 ns |
| 晶体管类型 | P-Channel | 首抽头延迟 | 13 ns |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 15 V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 400@4.5V mOhm |
| 最大功耗 | 791 | 传播延迟（最大） | 10 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 15 V | 导通电阻（最大） | 400@4.5V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 5.45nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 4.5 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 15V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 1.6 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | - 15 V, 2 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 1.6 A |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 1.6A (Ta) | ||
机械参数
| 宽度 | 4(Max) | 重量 | 0.002677 oz |
| 包装方式 | Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 8SOIC | 总长度 | 5(Max) |
| 包装数量 | SOIC | 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.5(Max) | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
产品信息
| 系列 | TPS1100 | 通道类型 | P |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source | 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 工作温度 | -40 to 125 °C | ||