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TPS1101DR
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-Pin SOIC T/R MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET |
| Category |
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商业参数
| 产品 | MOSFET Small Signal | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel | 工厂包装数量 | 2500 |
| 标准封装名称 | SOIC | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 5.5 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 2 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 791mW | 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 791 mW | 额定输出功率 | Not Required dB |
| 下降时间（典型） | 13 ns | 最大频率 | Not Required MHz |
| 上升时间（典型） | 5.5 ns | 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 19 ns | 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 15 V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 90(Typ)@10V mOhm |
| 平均正向功率 | 791 mW | 最大功耗 | 791 |
| 传播延迟（最大） | 5.5 ns | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 15 V |
| 漏电流（最大） | 2.3 A | 导通电阻（最大） | 0.09 ohm |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 11.25nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 6.5 ns |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % | 漏源电压（Vdss） | 15V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 2.3 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | - 15 V, 2 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 2.3 A | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2.3A (Ta) |
机械参数
| 宽度 | 4(Max) | 高度 | 1.75 mm |
| 长度 | 4.9 mm | 重量 | 0.002677 oz |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 8SOIC | 冷却的封装 | SOIC |
| 总长度 | 5(Max) | 包装数量 | SOIC |
| 位数 | 8 | 外壳尺寸-插件 | 1.5(Max) |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC | ||
产品信息
| 类型 | Small Signal | 系列 | TPS1101 |
| 极性 | P | 技术 | Si |
| 通道类型 | P | 制造商全称 | Texas Instruments |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source | 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 工作温度 | -40 to 125 °C | ||