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TPS1101PWR

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TPS1101PWR

Manufacturer
Description
Trans MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-Pin TSSOP T/R MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
Category
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商业参数

产品MOSFET Small Signal其他名称296-13384-2
产品类别MOSFET标准包装数量Tape & Reel
工厂包装数量2000标准封装名称TSSOP

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

FET类型MOSFET P-Channel, Metal Oxide下降时间5.5 ns
最大栅源电压 Vgs2 VFET特性Logic Level Gate
最大功率710mW额定功率710 mW
下降时间(典型)13 ns上升时间(典型)5.5 ns
晶体管类型P-Channel首抽头延迟19 ns
通道数量1 Channel元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id1.5V @ 250µA击穿电压15 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs90(Typ)@10V mOhm平均正向功率710 mW
最大功耗710传播延迟(最大)5.5 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic15 V导通电阻(最大)90 mOhms
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs11.25nC @ 10V开关时间(Ton, Toff)(最大)6.5 ns
漏源电压(Vdss)15V峰值脉冲电流(10/1000µs)2.18 A
栅极触发电压 Vgt (最大)- 15 V, 2 V漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)2.18 A
连续漏极电流(Id)@ 25°C2.18A (Ta)

机械参数

宽度4.5(Max)高度1.2 mm
长度5 mm重量0.002183 oz
包装方式Tape and Reel引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount安装样式SMD/SMT
封装形式16TSSOP总长度5.1(Max)
包装数量TSSOP位数16
外壳尺寸-插件1.05(Max)供应商器件封装16-TSSOP

产品信息

类型PMOS Switches系列TPS1101
技术Si通道类型P
制造商全称Texas Instruments配置Single Hex Drain Quint Source
印刷电路板数量16

环境参数

工作温度-40 to 125 °C

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