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TPS1120DG4
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET P-CH 15V 1.17A 8-Pin SOIC Tube MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC TPS1120DG4, Dual P-channel MOSFET Transistor 1.17A 15V, 8-Pin SOIC MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET |
| Category |
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商业参数
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 75 | 标准封装名称 | SOIC |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | 2 P-Channel (Dual) | 下降时间 | 10 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 2 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 840mW | 额定功率 | 0.84 W |
| 下降时间（典型） | 2 ns | 上升时间（典型） | 10 ns |
| 晶体管类型 | P-Channel | 首抽头延迟 | 13 ns |
| 元件数量 | 2 | Vgs(th)（最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 15 V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 400@4.5V mOhm |
| 最大功耗 | 0.84 W | 传播延迟（最大） | 10 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 15 V | 导通电阻（最大） | 0.4 Ω |
| 电流传输比（最小） | 2.5 S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 5.45nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 4.5 ns | 漏源电压（Vdss） | 15V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 1.17 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | + 2 V, - 15 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | - 2.7 V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 1.17A |
机械参数
| 宽度 | 3.91mm | 高度 | 1.58mm |
| 长度 | 4.9mm | 重量 | 0.002677 oz |
| 包装方式 | Tube | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 8SOIC | 冷却的封装 | SOIC |
| 总长度 | 5(Max) | 包装数量 | SOIC |
| 尺寸/外形 | 4.9 x 3.91 x 1.58mm | 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.5(Max) | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
产品信息
| 类型 | Small Signal | 系列 | TPS1120 |
| 极性 | P | 通道类型 | P |
| 卡标准 | Small Signal | 配置 | Dual, Dual Drain |
| 印刷电路板数量 | 8 | ||
环境参数
| 工作温度 | -40 to 125 °C | ||
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