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SSM3J118TU(TE85L)

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SSM3J118TU(TE85L)

Manufacturer
Description
MOSFET Vds=-30V Id=-1.4A 3Pin MOSF 30V 1.4A UFM MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Category
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商业参数

产品MOSFET Small Signal其他名称SSM3J118TU(TE85L)CT
产品类别MOSFET标准包装数量3,000
工厂包装数量3000

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

FET类型MOSFET P-Channel, Metal Oxide最大栅源电压 Vgs20 V
FET特性Logic Level Gate, 4V Drive最大功率800mW
额定功率800 mW晶体管类型P-Channel
通道数量1 Channel导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs240 mOhm @ 650mA, 10V
平均正向功率800 mW集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic- 30 V
导通电阻(最大)360 mOhms电流传输比(最小)1.5 S / 0.8 S
漏源电压(Vdss)30V漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)- 1.4 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds137pF @ 15V连续漏极电流(Id)@ 25°C1.4A (Ta)

机械参数

高度0.7 mm长度2 mm
包装方式Tape & Reel (TR)安装类型*
安装样式SMD/SMT封装形式3-SMD, Flat Leads
供应商器件封装UFM

产品信息

类型Small Signal系列SSM3J118
技术Si通道类型Enhancement
制造商全称Toshiba配置Single

环境参数

工作温度+ 150 C

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