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SSM6P49NU,LF
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET P CH 20V 4A 2-1Y1A MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS |
| Category |
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商业参数
| 其他名称 | SSM6P49NULFCT | 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | 2 P-Channel (Dual) | 最大栅源电压 Vgs | 12 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 1W |
| 额定功率 | 1 W | 晶体管类型 | P-Channel |
| 通道数量 | 2 Channel | Vgs(th)（最大）@ Id | 1.2V @ 1mA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 3.5A, 10V | 平均正向功率 | 1 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 20 V | 导通电阻（最大） | 157 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 6.74nC @ 4.5V | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 12 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | - 4 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 480pF @ 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 4A |
机械参数
| 高度 | 0.75 mm | 长度 | 2 mm |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 供应商器件封装 | 6-uDFN (2x2) | ||
产品信息
| 系列 | SSM6P49 | 技术 | Si |
| 制造商全称 | Toshiba | ||