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SIR410DP-T1-GE3
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET N-CH 20V 23A 8-Pin PowerPAK SO T/R MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC MOSFET, N-CH, 20V, 35A, POWERPAK8 MOSFET 20V 35A 36W |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | SIR410DP-T1-GE3CT | 标准包装数量 | Tape & Reel |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 海关税号 | 85411000 |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 36W |
| 晶体管类型 | :N Channel | 首抽头延迟 | 30 ns |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA | 击穿电压 | 20 V |
| 阈值电压 | :1.2V | 最大额定电流 | :35A |
| 导通电阻 RDS(On) | :4mohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 4.8@10V mOhm |
| 最大功耗 | :36W | 传播延迟（最大） | 15 ns |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 41nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 25 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 23 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1600pF @ 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 23A (Ta), 35A (Tc) |
机械参数
| 重量 | 0.001 | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount | 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | 8PowerPAK SO | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | ||
产品信息
| 通道类型 | Enhancement | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||
Documents & Media
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