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SIHB22N60E-E3
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK |
| Category |
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商业参数
| 商标名 | TrenchFET | 其他名称 | SIHB22N60EE3 |
| 标准包装数量 | 1,000 | 工厂包装数量 | 1000 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | FET特性 | Super Junction |
| 最大功率 | 227W | Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 86nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1920pF @ 100V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 21A (Tc) | ||
机械参数
| 包装方式 | Tube | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 供应商器件封装 | D²PAK |
产品信息
| 系列 | E | 技术 | Si |
| 制造商全称 | Vishay Semiconductors | ||
Documents & Media
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