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SIHB22N60E-GE3
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK MOSFET 650V 180mOhm 21A TO263 MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK MOSFET N-Channel 600V 21A D2PAK MOSFET, N CH, 600V, 21A, D2PAK Vishay , N沟道 MOSFET, 21 A, Vds=600 V, 3针 D2PAK封装 |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 1000 | 单位包装 | 1000 |
| 其他名称 | SIHB22N60EGE3 | 标准包装数量 | 1,000 |
| 标准封装名称 | D2PAK | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85044090 | 汽车级 | NO |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| 逻辑类型 | NO | FET特性 | Super Junction |
| 最大功率 | 227W | 晶体管类型 | :N Channel |
| 首抽头延迟 | 59 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA | 击穿电压 | 600 V |
| 阈值电压 | :2V | 导通电阻 RDS(On) | :0.15ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | n.s.Ohm | 最大功耗 | 227 W |
| 每端口功率（瓦） | 227W | 导通电阻（最大） | 0.18 Ω |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 600V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 86nC |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 18 ns | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 21 A | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 22A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1920pF @ 100V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 21A (Tc) |
机械参数
| 宽度 | 9.65mm | 高度 | 4.83mm |
| 长度 | 10.67mm | 重量 | 0.00143 |
| 包装方式 | Tube | 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Gull-wing | 安装类型 | Surface Mount |
| 引脚数 | :3 | 封装形式 | TO263 |
| 冷却的封装 | D2PAK | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 总长度 | 10.41(Max) | 包装数量 | D2PAK |
| 尺寸/外形 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 4.83(Max) | 供应商器件封装 | D²PAK |
产品信息
| 匹配码 | SIHB22N60E | 技术 | ESeries |
| 通道类型 | N | 卡标准 | Power MOSFET |
| 标准交期 | 12 weeks | 印刷电路板数量 | 2 |
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | 热阻 @ GPM | 0.55K/W |
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