点击放大查看
SIHB24N65E-E3
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK MOSFET N-Channel 650V 24A D2PAK MOSFET, N CH, 650V, 24A, D2PAK |
| Category |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 最小起订量 | 1 | 单位包装 | 0 |
| 其他名称 | SIHB24N65EE3 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 1,000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 海关税号 | 85044090 |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Standard | 栅极电荷 | 81 nC |
| 最大功率 | 250W | 额定功率 | 250 W |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 70 ns |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 650 V | 阈值电压 | :2V |
| 导通电阻 RDS(On) | :0.12ohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 12A, 10V |
| 最大功耗 | 250 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 650 V |
| 导通电阻（最大） | 0.145 Ω | 电流传输比（最小） | 7.1 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 122nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 24 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 24 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 24 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2740pF @ 100V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 24A (Tc) |
机械参数
| 宽度 | 9.65mm | 高度 | 4.83mm |
| 长度 | 10.67mm | 重量 | 0.00143 |
| 包装方式 | Tube | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 冷却的封装 | D2PAK |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 尺寸/外形 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| 位数 | 3 | 供应商器件封装 | D²PAK |
产品信息
| 系列 | E | 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||