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SIHP7N60E-E3
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET N CH 600V 7A TO-220AB MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 1000 | 商标名 | TrenchFET |
| 单位包装 | 1000 | 零件号别名 | SIHP7N60E |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 1,000 |
| 工厂包装数量 | 50 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 78W | 额定功率 | 78 W |
| 晶体管类型 | N-Channel | Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.5A, 10V | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 600 V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 40nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 7 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 680pF @ 100V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 7A (Tc) | ||
机械参数
| 包装方式 | Tube | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole | 封装形式 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | ||
产品信息
| 系列 | E | 技术 | Si |
| 制造商全称 | Vishay Semiconductors | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||