WNSC10650T6J
| Manufacturer | |
| Description | DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN |
| Category |
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合规参数
| 零件状态 | Obsolete | ||
电气参数
| 转速 | Zero Recovery Time > 500mA (Io) | 测试电流 | 60 µA @ 650 V |
| 电容 @ Vr, F | 328pF @ 1V, 1MHz | 最小输入电压 | 1.7 V @ 10 A |
| 反向恢复时间（trr） | 0 ns | 直流反向电压（Vr）（最大） | 650 V |
| 平均整流电流 Io | 10A | ||
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | 4-VSFN Exposed Pad | 供应商器件封装 | 5-DFN (8x8) |
产品信息
| 制造商 | WeEn Semiconductors | 技术 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| CMS筛选器头BPN | WNSC1 | CMS筛选头系列 | - |
环境参数
| 结工作温度 | 175°C (Max) | ||