点击放大查看
C3M0120090J-TR
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 120 mOhm |
| Category |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 产品 | Power MOSFET | 工厂包装数量 | 800 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 下降时间 | 5 ns | 最大栅源电压 Vgs | - 8 V, + 18 V |
| 栅极电荷 | 17.3 nC | 上升时间（典型） | 9 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 15 ns |
| 通道数量 | 1 Channel | Vgs(th)（最大）@ Id | 1.8 V |
| 平均正向功率 | 83 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 900 V |
| 导通电阻（最大） | 170 mOhms | 电流传输比（最小） | 6.7 S |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 12.5 ns | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 22 A |
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | TO-263-7 | ||
产品信息
| 类型 | Silicon Carbide MOSFET | 技术 | SiC |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | Wolfspeed / Cree |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||