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C3M0120100K

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C3M0120100K

Manufacturer
Description
MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
Category
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商业参数

工厂包装数量30

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

下降时间8 ns最大栅源电压 Vgs- 4 V, + 15 V
栅极电荷21.5 nC上升时间(典型)15 ns
晶体管类型N-Channel首抽头延迟19 ns
通道数量1 ChannelVgs(th)(最大)@ Id1.8 V
平均正向功率83 W集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic1 kV
导通电阻(最大)120 mOhms电流传输比(最小)7.7 S
连续漏极电流(Id)@ 25°C22 A

机械参数

包装方式Tube安装样式Through Hole
封装形式TO-247-4

产品信息

技术SiC通道类型Enhancement
制造商全称Wolfspeed / Cree配置1 N-Channel

环境参数

工作温度+ 150 C