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C3M0280090J-TR

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C3M0280090J-TR

Manufacturer
Description
MOSFET G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm
Category
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商业参数

产品Power MOSFET工厂包装数量800

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

下降时间4 ns最大栅源电压 Vgs- 8 V, + 18 V
栅极电荷9.5 nC上升时间(典型)6.5 ns
晶体管类型N-Channel首抽头延迟11 ns
通道数量1 ChannelVgs(th)(最大)@ Id1.8 V
平均正向功率50 W集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic900 V
导通电阻(最大)385 mOhms电流传输比(最小)3.1 S
开关时间(Ton, Toff)(最大)10.5 ns连续漏极电流(Id)@ 25°C11 A

机械参数

包装方式Reel安装样式SMD/SMT
封装形式TO-263-7

产品信息

类型Silicon Carbide MOSFET技术SiC
通道类型Enhancement制造商全称Wolfspeed / Cree
配置Single

环境参数

工作温度+ 150 C