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C2M0280120D

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C2M0280120D

Manufacturer
Description
Wolfspeed , N沟道 MOSFET, 10 A, Vds=1200 V, 3针 TO-247封装 Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET , 10 A, Vds=1200 V, 3针 TO-247封装 MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
Category
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商业参数

商标名Z-FET工厂包装数量30

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

下降时间9.9 ns最大栅源电压 Vgs- 10 V to + 25 V
栅极电荷5.6 nC开通延迟时间5.2 ns
输出功能增强上升时间(典型)7.6 ns
晶体管类型SiC关断延迟时间10.8 ns
首抽头延迟10.8 ns供电电压3.3V
通道数量1 Channel元件数量1
输入电阻0.37 ΩVgs(th)(最大)@ Id4V
平均正向功率62.5 W最大功耗62.5 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic1200 V导通电阻(最大)280 mOhms
电流传输比(最小)2.8S栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs25 V
开关时间(Ton, Toff)(最大)5.2 ns输入电容(Ciss)(最大)@ Vds259 pF @ 1000 V
连续漏极电流(Id)@ 25°C10 A

机械参数

宽度21.1mm高度5.21mm
长度16.13mm包装方式Tube
安装类型通孔安装样式Through Hole
引脚数3封装形式TO-247-3
包装数量TO-247尺寸/外形16.13 x 21.1 x 5.21mm

产品信息

功能Y技术SiC
通道类型N制造商全称Wolfspeed / Cree
卡标准功率 MOSFET配置Single

环境参数

工作温度+150 °C