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C2M1000170J

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C2M1000170J

Manufacturer
Description
Wolfspeed , N沟道 MOSFET, 5.3 A, Vds=1700 V, 7针 D2PAK封装 Wolfspeed SiC N沟道 MOSFET , 5.3 A, Vds=1700 V, 7针 D2PAK封装 MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
Category
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商业参数

工厂包装数量50

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

下降时间40.4 ns栅极电荷13 nC
开通延迟时间4 ns输出功能增强
上升时间(典型)4.8 ns晶体管类型SiC
关断延迟时间10.8 ns首抽头延迟10.8 ns
供电电压3.8V通道数量1 Channel
元件数量1输入电阻1.4 Ω
Vgs(th)(最大)@ Id4V最大功耗78 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic1700 V导通电阻(最大)1 Ohm
电流传输比(最小)0.82S栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs-10 V,25 V
开关时间(Ton, Toff)(最大)4 ns输入电容(Ciss)(最大)@ Vds200 pF @ 1000 V
连续漏极电流(Id)@ 25°C5.3 A

机械参数

宽度10.99mm高度4.57mm
长度10.23mm包装方式Tube
安装类型表面贴装安装样式SMD/SMT
引脚数7封装形式TO-263-7
包装数量D2PAK尺寸/外形10.23 x 10.99 x 4.57mm

产品信息

功能Y技术SiC
通道类型N制造商全称Wolfspeed / Cree
卡标准功率 MOSFET

环境参数

工作温度+150 °C