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C3M0065090J
| Manufacturer | |
| Description | Wolfspeed , N沟道 MOSFET, 35 A, Vds=900 V, 7针 D2PAK封装 MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm |
| Category |
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商业参数
| 产品 | Power MOSFET | 工厂包装数量 | 50 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 下降时间 | 5 ns | 最大栅源电压 Vgs | - 8 V, + 18 V |
| 栅极电荷 | 30 nC | 开通延迟时间 | 7.2 ns |
| 输出功能 | 增强 | 上升时间（典型） | 6.5 ns |
| 晶体管类型 | SiC | 关断延迟时间 | 15 ns |
| 首抽头延迟 | 15 ns | 供电电压 | 4.4V |
| 通道数量 | 1 Channel | 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 0.078 Ω | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.1V |
| 平均正向功率 | 113 W | 最大功耗 | 113 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 900 V | 导通电阻（最大） | 90 mOhms |
| 电流传输比（最小） | 13.6s | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 25 V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 7.2 ns | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 660 pF @ 600 V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 35 A | ||
机械参数
| 宽度 | 10.99mm | 高度 | 4.57mm |
| 长度 | 10.23mm | 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | 表面贴装 | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 7 | 封装形式 | TO-263-7 |
| 包装数量 | D2PAK | 尺寸/外形 | 10.23 x 10.99 x 4.57mm |
产品信息
| 类型 | Silicon Carbide MOSFET | 功能 | Y |
| 技术 | SiC | 通道类型 | N |
| 制造商全称 | Wolfspeed / Cree | 卡标准 | 功率 MOSFET |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||