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C3M0280090D
| Manufacturer | |
| Description | Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET , 11.5 A, Vds=900 V, 3针 TO-247封装 MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm |
| Category |
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商业参数
| 产品 | Power MOSFET | 工厂包装数量 | 30 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 下降时间 | 7.5 ns | 栅极电荷 | 9.5 nC |
| 开通延迟时间 | 26 ns | 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 10 ns | 晶体管类型 | SiC |
| 关断延迟时间 | 17.5 ns | 首抽头延迟 | 17.5 ns |
| 供电电压 | 4.8V | 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 | 输入电阻 | 0.36 Ω |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3.5V | 平均正向功率 | 54 W |
| 最大功耗 | 54 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 900 V |
| 导通电阻（最大） | 280 mOhms | 电流传输比（最小） | 3.6s |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | -8 V，18 V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 26 ns |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 150 pF @ 600 V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 11.5 A |
机械参数
| 宽度 | 21.1mm | 高度 | 5.21mm |
| 长度 | 16.13mm | 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | 通孔 | 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 | 封装形式 | TO-247-3 |
| 包装数量 | TO-247 | 尺寸/外形 | 16.13 x 21.1 x 5.21mm |
产品信息
| 类型 | Silicon Carbide MOSFET | 功能 | Y |
| 技术 | SiC | 通道类型 | N |
| 制造商全称 | Wolfspeed / Cree | 卡标准 | 功率 MOSFET |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||