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CAS120M12BM2

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CAS120M12BM2

Manufacturer
Description
Wolfspeed , 双 N沟道 MOSFET, 193 A, Vds=1200 V, 7针 Discrete Semiconductor Modules 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module
Category
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商业参数

产品Power Semiconductor Modules工厂包装数量1

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

开通延迟时间38 ns输出功能增强
晶体管类型SiC关断延迟时间70 ns
供电电压2.4V元件数量2
输入电阻0.03 ΩVgs(th)(最大)@ Id1.8V
最大功耗925 W集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic1.2 kV
导通电阻(最大)13 mOhms电流传输比(最小)53.8s
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs-10 V,25 V输入电容(Ciss)(最大)@ Vds6.3 nF @ 1 kV
连续漏极电流(Id)@ 25°C193 A

机械参数

宽度61.4mm高度30mm
长度106.4mm包装方式Bulk
安装类型面板安装安装样式Screw
引脚数7封装形式Module
尺寸/外形106.4 x 61.4 x 30mm

产品信息

类型H-Bridge MOSFET Module通道类型N
制造商全称Wolfspeed / Cree卡标准功率 MOSFET
配置Half-Bridge

环境参数

工作温度+150 °C