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MR0A08BCYS35R

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MR0A08BCYS35R

Manufacturer
Description
NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM NVRAM MRAM Parallel 1M-Bit 3.3V 44-Pin TSOP-II T/R IC MRAM 1MBIT 35NS 44TSOP
Category
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商业参数

标准包装数量1,000标准封装名称TSOP

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

转速35ns接口Parallel
存取时间35 ns存储器容量1M (128K x 8)
存储器类型MRAM (Magnetoresistive RAM)额定电压3
供电电流55 mA供电电压3 V ~ 3.6 V
最大额定电流70最小供电电压3.6
平均整流电流 Io55 mA共模瞬态抗扰度(最小)Industrial

机械参数

宽度10.29(Max)包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
总长度18.54(Max)包装数量TSOP-II
位数44外壳尺寸-插件1.05(Max)
供应商器件封装44-TSOP2 (10.2x18.4)核心数/总线宽度8 bit

产品信息

类型MRAM系列MR0A08B
密度1M制造商全称128Kx8
存储器格式RAM印刷电路板数量44

环境参数

工作温度-40°C ~ 85°C

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