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MR2A08AMYS35R

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MR2A08AMYS35R

Manufacturer
Description
NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM NVRAM MRAM Parallel 4M-Bit 3.3V 44-Pin TSOP-II T/R IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP
Category
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商业参数

标准包装数量1,000

合规参数

RoHSCompliant

电气参数

转速35ns接口Parallel
存取时间35 ns存储器容量4M (512K x 8)
存储器类型MRAM (Magnetoresistive RAM)供电电流50 mA
供电电压3 V ~ 3.6 V最大额定电流135
最小输入电压3.6最小供电电压3.3
平均整流电流 Io50 mA共模瞬态抗扰度(最小)Automotive

机械参数

宽度10.29(Max)包装方式Tape and Reel
导体类型Gull-wing安装样式SMD/SMT
引脚数44封装形式44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
冷却的封装TSOP总长度18.54(Max)
包含封装TSOP-II外壳尺寸-插件1.05(Max)
供应商器件封装44-TSOP2 (10.2x18.4)核心数/总线宽度8 bit

产品信息

类型MRAM系列MR2A08A
密度4M制造商全称512 K x 8
存储器格式RAM附件类型35
存储器架构512Kx8印刷电路板数量44
装配配置Surface Mount

环境参数

工作温度-40°C ~ 125°C

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