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IRLML5103TRPBF

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IRLML5103TRPBF

Manufacturer
Description
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET , 760 mA, Vds=30 V, 3针 SOT-23封装 MOSFET MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl
Category
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商业参数

产品MOSFET Small Signal工厂包装数量3000

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

下降时间16 ns最大栅源电压 Vgs20 V
栅极电荷3.4 nC开通延迟时间10 ns
输出功能增强上升时间(典型)8.2 ns
晶体管类型Si关断延迟时间23 ns
首抽头延迟23 ns供电电压30 V
通道数量1 Channel元件数量1
输入电阻600 mΩVgs(th)(最大)@ Id1V
平均正向功率540 mW最大功耗0.54 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic- 30 V导通电阻(最大)600 mOhms
电流传输比(最小)0.44 S栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs±20 V
开关时间(Ton, Toff)(最大)10 ns输入电容(Ciss)(最大)@ Vds75 pF@ 25 V
连续漏极电流(Id)@ 25°C760 mA

机械参数

宽度1.4mm高度1.02mm
长度3.04mm包装方式Reel
安装类型表面贴装安装样式SMD/SMT
引脚数3封装形式SOT-23-3
包装数量SOT-23尺寸/外形3.04 x 1.4 x 1.02mm

产品信息

系列HEXFET功能Y
技术Si通道类型P
制造商全称Infineon Technologies卡标准功率 MOSFET
配置Single

环境参数

工作温度+150 °C

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