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MJD44H11T4

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MJD44H11T4

Manufacturer
STMicroelectronics N.V.
Description
Trans GP BJT NPN 80V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R NPN TRANSISTOR 80V 8A 20W DPAK TRANSISTOR NPN 80V 8A DPAK MJD44H11T4, NPN Bipolar Transistor, 8A 80V HFE:40V Power, 3-Pin D-PAK Transistors Bipolar - BJT NPN Gen Pur Switch TRANSISTORNPN80V8A,DPAK STMicroelectronics , NPN 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 3针 DPAK封装 Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
Category
分立半导体元件双极型晶体管通用双极型晶体管
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商业参数

最小起订量2500单位包装2500
其他名称497-2504-2标准包装规格2,500
产品类别Transistors Bipolar - BJT标准包装数量Cut Tape
工厂包装数量2500标准封装名称DPAK

合规参数

RoHSLead free / RoHS CompliantSVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant海关税号85412900
抗辐射加固No无铅定义RoHS-conform

电气参数

最大功率20W额定功率20 W
晶体管类型NPN供电电压80V
元件数量125°C时电阻6.25°C/W
Vce饱和电压（最大）1 V最小输入电压80 V
电源电压（最大）5 V最大功耗20000 mW
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic80V每端口功率（瓦）20W
Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic1V @ 400mA, 8A集电极电流（Ic）（最大）8A
集电极截止电流（最大）8 A直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce60@2A@1V|40@4A@1V
集电极-发射极击穿电压（最大）5 V

机械参数

宽度6.2mm高度2.4mm
长度6.6mm重量0.00195
包装方式Tape and Reel引脚样式Gull-wing
端接方式:SMD安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT引脚数:3
封装形式3DPAK冷却的封装DPAK
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited包装数量DPAK
主要材料Si尺寸/外形2.4 x 6.6 x 6.2mm
位数3供应商器件封装D-Pak

产品信息

类型NPN极性NPN
匹配码MJD44H11T4卡标准Bipolar Power
配置Single标准交期12 weeks

环境参数

工作温度-55 to 150 °C

Documents & Media

PDF Document
CD00001311.pdf
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